特色工艺

技术简介

• BCD是一种单片集成工艺技术，将BJT、CMOS、DMOS器件集成到同一芯片，综合BJT器件高跨导、强负载驱动能力，CMOS器件集成度高以及DMOS器件高耐压、高效率及低功耗等优点，使BCD工艺大幅降低功耗，提高系统性能，提升可靠性和降低成本
  

平台开发现状

• 积塔BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技术基于先进的CMOS工艺平台，开发出各种电压的高性能，低导通电阻LDMOS，以优越的性能和较低的成本满足各类客户的需求。目前0.15μm 5~40V EPI BCD 、0.18μm 5~30V BCD及 0.8μm 700V BCD已实现大规模量产；90nm 40V BCD, 以及 0.15um 60V 和 120V BCD已开始试产。将持续往更优性能，更高电压，更先进节点发展。

  
  

工艺能力

• 低导通电阻，Deep Trench Isolation for 120V BCD, double resurf, selfalign Pbody, Thin Rox，fully isolatio

应用产品

•  广泛应用于电源管理，DC-DC，AC-DC，LED驱动，电机驱动，电池管理，物联网等产品开发。

技术简介

• LCD/LED等显示驱动芯片，要求驱动高压信号，无大功率要求，所以基于传统CMOS工艺技术的低成本HV-CMOS工艺制程应运而生。HV CMOS是传统CMOS工艺向高压的延伸，HV CMOS将CMOS和高压MOS器件集成在同一芯片上来实现高压驱动，成本较BCD工艺更低。
  

平台开发现状

• 积塔HV CMOS技术基于先进的CMOS工艺平台，开发出多种电压的HV CMOS器件，以优越的性能和较低的成本满足各类面板驱动IC产品需求。当前0.15μm 1.8/3.3/18V HV CMOS工艺开发完成，已开始试产；90nm 1.32/3.3/5/6/32V HV CMOS系列工艺开发中。将持续往更丰富电压，更先进节点发展。
  

工艺能力

• 穿栅工艺、共阱工艺、深STI深宽比填充、MIM工艺、铜铝混合工艺
  

应用产品

• 广泛应用于电视机、电脑、消费类电子及可穿戴设备的显示面板驱动等产品。

技术简介

• eNVM是在逻辑工艺平台基础上开发出带有非挥发存储器模块的芯片，积塔提供多种嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术，包括一次性可编程存储器（OTP）, 多次可编程存储器（MTP），电子保险丝一次性可编程存储器（e-fuse）。目前正在开发嵌入式闪存（e-flash）以及铁电存储器（FRAM） 技术
  

平台开发现状

• 积塔提供多种嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术，技术节点覆盖0.35μm到0.15μm量产工艺以及0.11μm到40nm在研工艺，为各工艺平台提供了可靠和高效的存储方案，目前0.11 μm e-flash工艺开发进行中，预计2024年完成，90nm e-flash预计2025年完成， 0.11μm FRAM平台先导客户产品导入成功，2D产品已成功量产，3D产品预计年底量产，产品涉及串行和并行的独立和嵌入式类型
  

工艺能力

• Floating gate，HK工艺，深孔刻蚀工艺，3D铁电存储
  

应用产品

• 积塔提供了完整的嵌入式非易失性存储技术与广泛IP支持，可应用于智能卡，微处理器，电源管理IC等, 广泛涉及消费电子，物联网，汽车电子和工业控制等领域。